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LSO、LYSO、YSO晶體生長及加工技術(shù)

2018/10/31 11:58:45??????點擊:
  由閃爍體和光探測器組成閃爍探測器,用于探測α、β、γ、X射線及中子。可廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、地球物理學(xué)、生物物理學(xué)、生物化學(xué)、放射化學(xué)、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘探、空間探測、安全稽查等領(lǐng)域。


       摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體是性能最好的無機(jī)閃爍晶體,它具有發(fā)光效率高、衰減時間短、發(fā)光中心波長與光電倍增管匹配、抗輻射能力強(qiáng)、高密度、高原子序數(shù)、不潮解、物化性能穩(wěn)定等優(yōu)點。摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體采用提拉法生長。目前我所在摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍原料配方方面,通過調(diào)整晶體中Ce4+的摻雜濃度,在配料時對高溫下易揮發(fā)組分進(jìn)行補(bǔ)償;溫場設(shè)計及制作、平界面生長、揮發(fā)組分抑制技術(shù)方面,能夠使得使生長出的晶體即不開裂又無白絲、云層等宏觀缺陷、且晶體的發(fā)光強(qiáng)度高,并且通過高溫氧退火減少晶體中的氧空位,進(jìn)一步提高晶體的發(fā)光強(qiáng)度;晶塊精密切割、研磨、拋光工藝技術(shù)方面能夠滿足影像核醫(yī)學(xué)(PET和PET/CT)和電磁量能器對加工表面和加工尺寸的嚴(yán)格要求。

技術(shù)指標(biāo)


      晶體尺寸:Φ60×280、Φ70×200、Φ80×150;


      密度:7.1∽7.4g/cc;


      發(fā)光強(qiáng)度:≥30000光子/Mev;


      衰減時間:≤45ns;


      莫萊爾半徑(cm):2.07;


      發(fā)光中心波長:420nm;


      輻照長度 (cm):1.14;


      抗輻射強(qiáng)度:≥1000000rad;


      折射率:1.82;


      是否潮解:否;


      尺寸公差:±0.5mm;


      平行度:≤20μm;


      彎曲度:≤3 0μm;


      粗糙度:≤2n m;


      角度偏差:≤5°






技術(shù)特點


       生長的晶體尺寸大、發(fā)光強(qiáng)度高、衰減時間短,產(chǎn)品指標(biāo)在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位,達(dá)到國際先進(jìn)水平。可用于生長摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體的單晶生長爐多,并能自己生產(chǎn)單晶生長爐,可實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。生產(chǎn)的產(chǎn)品已批量用于核物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
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